HGD230N10AL Todos los transistores

 

HGD230N10AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGD230N10AL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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HGD230N10AL Datasheet (PDF)

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HGD230N10AL

HGD230N10AL , HGI230N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level21.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability28RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness31 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested24 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication

 4.1. Size:897K  cn hunteck
 hgd230n10a.pdf pdf_icon

HGD230N10AL

P-1HGD230N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching22RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability31 AID (Slicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness24 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit

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History: IXFH12N80P | FTK630F | AP2R403GMT-HF | CEP6060N

 

 
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