HGD230N10AL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGD230N10AL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGD230N10AL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGD230N10AL даташит

 ..1. Size:965K  cn hunteck
 hgd230n10al hgi230n10al.pdf pdf_icon

HGD230N10AL

HGD230N10AL , HGI230N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 21.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 28 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 31 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 24 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application

 4.1. Size:897K  cn hunteck
 hgd230n10a.pdf pdf_icon

HGD230N10AL

P-1 HGD230N10A 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching 22 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 31 A ID (Slicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 24 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit

Другие IGBT... HGI170N10AL, HGD190N15SL, HGD195N15S, HGD195N15SL, HGD1K2N20ML, HGI1K2N20ML, HGD210N12SL, HGD230N10A, 10N60, HGI230N10AL, HGD290N10SL, HGI290N10SL, HGD2K4N25ML, HGI2K4N25ML, HGD320N20S, HGD480N15M, HGI480N15M