HGD2K4N25ML Todos los transistores

 

HGD2K4N25ML MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGD2K4N25ML
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de HGD2K4N25ML MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HGD2K4N25ML Datasheet (PDF)

 ..1. Size:936K  cn hunteck
 hgd2k4n25ml hgi2k4n25ml.pdf pdf_icon

HGD2K4N25ML

HGD2K4N25ML , HGI2K4N25ML P-1250V N-Ch Power MOSFETFeature250 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level180RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability190RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness8.82 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in

Otros transistores... HGD1K2N20ML , HGI1K2N20ML , HGD210N12SL , HGD230N10A , HGD230N10AL , HGI230N10AL , HGD290N10SL , HGI290N10SL , IRFB4115 , HGI2K4N25ML , HGD320N20S , HGD480N15M , HGI480N15M , HGD650N15S , HGD650N15SL , HGD750N15M , HGD750N15ML .

History: JCS6N70MP | WMB099N10LGS | AUIRFR2307ZTR | LSB80R350GT | IRFS340 | PSMN8R0-80YL

 

 
Back to Top

 


 
.