HGD2K4N25ML datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGD2K4N25ML  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGD2K4N25ML

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGD2K4N25ML даташит

 ..1. Size:936K  cn hunteck
 hgd2k4n25ml hgi2k4n25ml.pdf pdf_icon

HGD2K4N25ML

HGD2K4N25ML , HGI2K4N25ML P-1 250V N-Ch Power MOSFET Feature 250 V VDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level 180 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 190 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 8.82 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in

Другие IGBT... HGD1K2N20ML, HGI1K2N20ML, HGD210N12SL, HGD230N10A, HGD230N10AL, HGI230N10AL, HGD290N10SL, HGI290N10SL, P55NF06, HGI2K4N25ML, HGD320N20S, HGD480N15M, HGI480N15M, HGD650N15S, HGD650N15SL, HGD750N15M, HGD750N15ML