Справочник MOSFET. HGD2K4N25ML

 

HGD2K4N25ML Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGD2K4N25ML
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для HGD2K4N25ML

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGD2K4N25ML Datasheet (PDF)

 ..1. Size:936K  cn hunteck
 hgd2k4n25ml hgi2k4n25ml.pdf pdf_icon

HGD2K4N25ML

HGD2K4N25ML , HGI2K4N25ML P-1250V N-Ch Power MOSFETFeature250 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level180RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability190RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness8.82 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in

Другие MOSFET... HGD1K2N20ML , HGI1K2N20ML , HGD210N12SL , HGD230N10A , HGD230N10AL , HGI230N10AL , HGD290N10SL , HGI290N10SL , IRFB4115 , HGI2K4N25ML , HGD320N20S , HGD480N15M , HGI480N15M , HGD650N15S , HGD650N15SL , HGD750N15M , HGD750N15ML .

History: HGD190N15SL | 4N80L-TF1-T | NCE65N230K | RTL035N03TR | TPC8208

 

 
Back to Top

 


 
.