HGD320N20S Todos los transistores

 

HGD320N20S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGD320N20S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 124 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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HGD320N20S datasheet

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HGD320N20S

P-1 HGD320N20S 200V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 200 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 28 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 50 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power Tools Drain UPS Pin2 TO-252 M

Otros transistores... HGD210N12SL , HGD230N10A , HGD230N10AL , HGI230N10AL , HGD290N10SL , HGI290N10SL , HGD2K4N25ML , HGI2K4N25ML , 7N65 , HGD480N15M , HGI480N15M , HGD650N15S , HGD650N15SL , HGD750N15M , HGD750N15ML , HGI750N15ML , HGI050N10AL .

 

 
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