HGD320N20S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGD320N20S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGD320N20S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGD320N20S даташит

 ..1. Size:895K  cn hunteck
 hgd320n20s.pdf pdf_icon

HGD320N20S

P-1 HGD320N20S 200V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 200 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 28 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 50 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power Tools Drain UPS Pin2 TO-252 M

Другие IGBT... HGD210N12SL, HGD230N10A, HGD230N10AL, HGI230N10AL, HGD290N10SL, HGI290N10SL, HGD2K4N25ML, HGI2K4N25ML, 7N65, HGD480N15M, HGI480N15M, HGD650N15S, HGD650N15SL, HGD750N15M, HGD750N15ML, HGI750N15ML, HGI050N10AL