Справочник MOSFET. HGD320N20S

 

HGD320N20S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGD320N20S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для HGD320N20S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGD320N20S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:895K  cn hunteck
 hgd320n20s.pdf pdf_icon

HGD320N20S

P-1HGD320N20S200V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching 200 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability 28RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 50 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power ToolsDrain UPSPin2TO-252 M

Другие MOSFET... HGD210N12SL , HGD230N10A , HGD230N10AL , HGI230N10AL , HGD290N10SL , HGI290N10SL , HGD2K4N25ML , HGI2K4N25ML , STP75NF75 , HGD480N15M , HGI480N15M , HGD650N15S , HGD650N15SL , HGD750N15M , HGD750N15ML , HGI750N15ML , HGI050N10AL .

History: IXTH75N10L2 | UF830L-TM3-T | AP2864I-A-HF | PH1330AL | PMV117EN | ZXMP10A13FTA

 

 
Back to Top

 


 
.