HGD650N15SL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGD650N15SL  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 43 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: TO-252

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de HGD650N15SL MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HGD650N15SL datasheet

 ..1. Size:900K  cn hunteck
 hgd650n15sl.pdf pdf_icon

HGD650N15SL

HGD650N15SL P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 58 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 66 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 18 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching an

 4.1. Size:894K  cn hunteck
 hgd650n15s.pdf pdf_icon

HGD650N15SL

HGD650N15S P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching 58 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 18 A ID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in Telecoms

Otros transistores... HGD290N10SL, HGI290N10SL, HGD2K4N25ML, HGI2K4N25ML, HGD320N20S, HGD480N15M, HGI480N15M, HGD650N15S, AON7408, HGD750N15M, HGD750N15ML, HGI750N15ML, HGI050N10AL, HGI080N08SL, HGD080N08SL, HGI090N06SL, HGD090N06SL