HGD650N15SL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGD650N15SL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 43 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGD650N15SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGD650N15SL даташит

 ..1. Size:900K  cn hunteck
 hgd650n15sl.pdf pdf_icon

HGD650N15SL

HGD650N15SL P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 58 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 66 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 18 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching an

 4.1. Size:894K  cn hunteck
 hgd650n15s.pdf pdf_icon

HGD650N15SL

HGD650N15S P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching 58 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 18 A ID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in Telecoms

Другие IGBT... HGD290N10SL, HGI290N10SL, HGD2K4N25ML, HGI2K4N25ML, HGD320N20S, HGD480N15M, HGI480N15M, HGD650N15S, AON7408, HGD750N15M, HGD750N15ML, HGI750N15ML, HGI050N10AL, HGI080N08SL, HGD080N08SL, HGI090N06SL, HGD090N06SL