HGD750N15M Todos los transistores

 

HGD750N15M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGD750N15M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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HGD750N15M Datasheet (PDF)

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HGD750N15M

HGD750N15M P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching65RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability18 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitDrainTO-252Pin2 Power Tools

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HGD750N15M

HGD750N15ML HGI750N15ML P-1,150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching, logic level63RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability72RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness18 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and

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History: DH100P25B | IRFS654A | CES2303 | H7P1006MD90TZ | BUK9507-30B | FDS4435-NL | OSG65R260DSF

 

 
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