HGD750N15M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HGD750N15M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для HGD750N15M
HGD750N15M Datasheet (PDF)
hgd750n15m.pdf
HGD750N15M P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching65RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability18 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitDrainTO-252Pin2 Power Tools
hgd750n15ml hgi750n15ml.pdf
HGD750N15ML HGI750N15ML P-1,150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching, logic level63RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability72RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness18 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and
Другие MOSFET... HGI290N10SL , HGD2K4N25ML , HGI2K4N25ML , HGD320N20S , HGD480N15M , HGI480N15M , HGD650N15S , HGD650N15SL , 2SK3878 , HGD750N15ML , HGI750N15ML , HGI050N10AL , HGI080N08SL , HGD080N08SL , HGI090N06SL , HGD090N06SL , HGI120N10A .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM601LL | AGM6018A | AGM6014AP | AGM6014A | AGM55P10S | AGM55P10D | AGM55P10A | AGM55N15D | AGM55N15A | AGM502 | AGM500P20D | AGM435E | AGM425ME | AGM425MD | AGM425MC | AGM425MA
Popular searches
c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor



