Справочник MOSFET. HGD750N15M

 

HGD750N15M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGD750N15M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HGD750N15M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:823K  cn hunteck
 hgd750n15m.pdf pdf_icon

HGD750N15M

HGD750N15M P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching65RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability18 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitDrainTO-252Pin2 Power Tools

 0.1. Size:895K  cn hunteck
 hgd750n15ml hgi750n15ml.pdf pdf_icon

HGD750N15M

HGD750N15ML HGI750N15ML P-1,150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching, logic level63RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability72RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness18 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: APL602J | AOD4132 | TK3A60DA | BSS214NW | HAF1002 | IRFIBC20G

 

 
Back to Top

 


 
.