HGD750N15M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGD750N15M  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGD750N15M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGD750N15M даташит

 ..1. Size:823K  cn hunteck
 hgd750n15m.pdf pdf_icon

HGD750N15M

 0.1. Size:895K  cn hunteck
 hgd750n15ml hgi750n15ml.pdf pdf_icon

HGD750N15M

HGD750N15ML HGI750N15ML P-1 , 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching, logic level 63 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 72 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 18 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and

Другие IGBT... HGI290N10SL, HGD2K4N25ML, HGI2K4N25ML, HGD320N20S, HGD480N15M, HGI480N15M, HGD650N15S, HGD650N15SL, 2SK3878, HGD750N15ML, HGI750N15ML, HGI050N10AL, HGI080N08SL, HGD080N08SL, HGI090N06SL, HGD090N06SL, HGI120N10A