HGI750N15ML Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGI750N15ML  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm

Encapsulados: TO-251

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de HGI750N15ML MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HGI750N15ML datasheet

 ..1. Size:895K  cn hunteck
 hgd750n15ml hgi750n15ml.pdf pdf_icon

HGI750N15ML

HGD750N15ML HGI750N15ML P-1 , 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching, logic level 63 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 72 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 18 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and

Otros transistores... HGI2K4N25ML, HGD320N20S, HGD480N15M, HGI480N15M, HGD650N15S, HGD650N15SL, HGD750N15M, HGD750N15ML, 2N7002, HGI050N10AL, HGI080N08SL, HGD080N08SL, HGI090N06SL, HGD090N06SL, HGI120N10A, HGD120N10A, HGI120N10AL