Справочник MOSFET. HGI750N15ML

 

HGI750N15ML Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGI750N15ML
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для HGI750N15ML

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGI750N15ML Datasheet (PDF)

 ..1. Size:895K  cn hunteck
 hgd750n15ml hgi750n15ml.pdf pdf_icon

HGI750N15ML

HGD750N15ML HGI750N15ML P-1,150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching, logic level63RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability72RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness18 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and

Другие MOSFET... HGI2K4N25ML , HGD320N20S , HGD480N15M , HGI480N15M , HGD650N15S , HGD650N15SL , HGD750N15M , HGD750N15ML , K4145 , HGI050N10AL , HGI080N08SL , HGD080N08SL , HGI090N06SL , HGD090N06SL , HGI120N10A , HGD120N10A , HGI120N10AL .

History: BRCS025N04DP | WVM8N20 | AP03N40AJ-HF

 

 
Back to Top

 


 
.