HGI200N10SL Todos los transistores

 

HGI200N10SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGI200N10SL
   Código: GI200N10SL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 19.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 104 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
     - Selección de transistores por parámetros

 

HGI200N10SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:965K  cn hunteck
 hgi200n10sl hgd200n10sl.pdf pdf_icon

HGI200N10SL

HGI200N10SL HGD200N10SL P-1,100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level15.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability20.0RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness45 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IXFR32N80P | UF460L-T3P-T | FDT3612 | SJMN290R60ZF | ELM36800EA

 

 
Back to Top

 


 
.