HGI200N10SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGI200N10SL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 104 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de HGI200N10SL MOSFET
HGI200N10SL Datasheet (PDF)
hgi200n10sl hgd200n10sl.pdf

HGI200N10SL HGD200N10SL P-1,100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level15.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability20.0RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness45 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain
Otros transistores... HGI090N06SL , HGD090N06SL , HGI120N10A , HGD120N10A , HGI120N10AL , HGD120N10AL , HGI130N12SL , HGD130N12SL , RFP50N06 , HGD200N10SL , HGK026N15S , HGK030N06S , HGM046NE6A , HGM046NE6AL , HGM059N08AL , HGM079N06SL , HGM090NE6A .
History: MTDA4N20J3 | HGD130N12SL | FQA7N90 | PJM2300NSA | MTDE5P10N3 | APM4542K | TTP145N08A
History: MTDA4N20J3 | HGD130N12SL | FQA7N90 | PJM2300NSA | MTDE5P10N3 | APM4542K | TTP145N08A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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