Справочник MOSFET. HGI200N10SL

 

HGI200N10SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGI200N10SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для HGI200N10SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGI200N10SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:965K  cn hunteck
 hgi200n10sl hgd200n10sl.pdf pdf_icon

HGI200N10SL

HGI200N10SL HGD200N10SL P-1,100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level15.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability20.0RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness45 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain

Другие MOSFET... HGI090N06SL , HGD090N06SL , HGI120N10A , HGD120N10A , HGI120N10AL , HGD120N10AL , HGI130N12SL , HGD130N12SL , RFP50N06 , HGD200N10SL , HGK026N15S , HGK030N06S , HGM046NE6A , HGM046NE6AL , HGM059N08AL , HGM079N06SL , HGM090NE6A .

History: HGI090N06SL | FIR75N075G | TTP118N08A | TTD120N03AT | TTP100N04AT | RTQ030P02TR | AP2764AI

 

 
Back to Top

 


 
.