HGD200N10SL Todos los transistores

 

HGD200N10SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGD200N10SL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 104 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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HGD200N10SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:965K  cn hunteck
 hgi200n10sl hgd200n10sl.pdf pdf_icon

HGD200N10SL

HGI200N10SL HGD200N10SL P-1,100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level15.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability20.0RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness45 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain

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History: ELM54801AA | OSG60R065JT3F | CES2303 | H7P1006MD90TZ | ASDM30N65E-R | FDS4435-NL | OSG65R108HSZF

 

 
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