HGD200N10SL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGD200N10SL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGD200N10SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGD200N10SL даташит

 ..1. Size:965K  cn hunteck
 hgi200n10sl hgd200n10sl.pdf pdf_icon

HGD200N10SL

HGI200N10SL HGD200N10SL P-1 , 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 15.5 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 20.0 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 45 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain

Другие IGBT... HGD090N06SL, HGI120N10A, HGD120N10A, HGI120N10AL, HGD120N10AL, HGI130N12SL, HGD130N12SL, HGI200N10SL, 12N60, HGK026N15S, HGK030N06S, HGM046NE6A, HGM046NE6AL, HGM059N08AL, HGM079N06SL, HGM090NE6A, HGM090NE6AL