HGK026N15S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGK026N15S  📄📄 

Código: GK026N15S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 833 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 138 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1431 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm

Encapsulados: TO-247

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HGK026N15S datasheet

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HGK026N15S

HGK026N15S P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching 2.35 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 366 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 180 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Pin2 Hard Switch

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hgb021n08s hgk023n08s hgp024n08s.pdf pdf_icon

HGK026N15S

, HGB021N08S HGK023N08S P-1 HGP024N08S 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching TO-263 1.75 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 1.92 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 2.00 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 290 A ID (Sillicon Limited) Lead Free 205 A ID (Package Limited)

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hgb020ne4s hgk020ne4s hgp020ne4s.pdf pdf_icon

HGK026N15S

, P-1 HGB020NE4S HGK020NE4S HGP020NE4S 45V N-Ch Power MOSFET Feature 45 V VDS High Speed Power Switching TO-263 1.75 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 1.75 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 1.75 RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 288 A ID (Sillicon Limited) Lead Free 120 A ID (Package Limited) Appli

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hgb025n06s hgk025n06s hgp025n06s.pdf pdf_icon

HGK026N15S

, HGB025N06S HGK025N06S P-1 HGP025N06S 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching TO-263 1.6 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 1.8 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 1.9 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 230 A ID (Sillicon Limited) Lead Free 120 A ID (Package Limited) Ap

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