HGK026N15S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGK026N15S 📄📄
Código: GK026N15S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 833 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
Qgⓘ - Carga de la puerta: 138 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1431 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
Encapsulados: TO-247
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HGK026N15S datasheet
hgk026n15s.pdf
HGK026N15S P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching 2.35 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 366 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 180 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Pin2 Hard Switch
hgb021n08s hgk023n08s hgp024n08s.pdf
, HGB021N08S HGK023N08S P-1 HGP024N08S 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching TO-263 1.75 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 1.92 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 2.00 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 290 A ID (Sillicon Limited) Lead Free 205 A ID (Package Limited)
hgb020ne4s hgk020ne4s hgp020ne4s.pdf
, P-1 HGB020NE4S HGK020NE4S HGP020NE4S 45V N-Ch Power MOSFET Feature 45 V VDS High Speed Power Switching TO-263 1.75 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 1.75 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 1.75 RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 288 A ID (Sillicon Limited) Lead Free 120 A ID (Package Limited) Appli
hgb025n06s hgk025n06s hgp025n06s.pdf
, HGB025N06S HGK025N06S P-1 HGP025N06S 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching TO-263 1.6 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 1.8 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 1.9 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 230 A ID (Sillicon Limited) Lead Free 120 A ID (Package Limited) Ap
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History: HGM046NE6AL
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