Справочник MOSFET. HGK026N15S

 

HGK026N15S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGK026N15S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 833 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1431 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HGK026N15S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:935K  cn hunteck
 hgk026n15s.pdf pdf_icon

HGK026N15S

HGK026N15S P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching2.35RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability366 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness180 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplicationDrain Synchronous Rectification in SMPSPin2 Hard Switch

 9.1. Size:861K  cn hunteck
 hgb021n08s hgk023n08s hgp024n08s.pdf pdf_icon

HGK026N15S

,HGB021N08S HGK023N08S P-1HGP024N08S80V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 1.75RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.92RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 2.00RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested290 AID (Sillicon Limited) Lead Free205 AID (Package Limited)

 9.2. Size:1129K  cn hunteck
 hgb020ne4s hgk020ne4s hgp020ne4s.pdf pdf_icon

HGK026N15S

, P-1HGB020NE4S HGK020NE4SHGP020NE4S45V N-Ch Power MOSFETFeature45 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 1.75RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.75RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 1.75RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested288 AID (Sillicon Limited) Lead Free120 AID (Package Limited)Appli

 9.3. Size:870K  cn hunteck
 hgb025n06s hgk025n06s hgp025n06s.pdf pdf_icon

HGK026N15S

,HGB025N06S HGK025N06S P-1HGP025N06S60V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 1.6RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.8RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 1.9RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested230 AID (Sillicon Limited) Lead Free120 AID (Package Limited)Ap

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: DMP2004TK | IXTT110N10P | STB75NF75 | 7N65KG-TQ2-R | FDD86250_F085 | SM2700CSC | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.