HGK026N15S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HGK026N15S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 833 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1431 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для HGK026N15S
HGK026N15S Datasheet (PDF)
hgk026n15s.pdf

HGK026N15S P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching2.35RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability366 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness180 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplicationDrain Synchronous Rectification in SMPSPin2 Hard Switch
hgb021n08s hgk023n08s hgp024n08s.pdf

,HGB021N08S HGK023N08S P-1HGP024N08S80V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 1.75RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.92RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 2.00RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested290 AID (Sillicon Limited) Lead Free205 AID (Package Limited)
hgb020ne4s hgk020ne4s hgp020ne4s.pdf

, P-1HGB020NE4S HGK020NE4SHGP020NE4S45V N-Ch Power MOSFETFeature45 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 1.75RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.75RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 1.75RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested288 AID (Sillicon Limited) Lead Free120 AID (Package Limited)Appli
hgb025n06s hgk025n06s hgp025n06s.pdf

,HGB025N06S HGK025N06S P-1HGP025N06S60V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 1.6RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.8RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 1.9RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested230 AID (Sillicon Limited) Lead Free120 AID (Package Limited)Ap
Другие MOSFET... HGI120N10A , HGD120N10A , HGI120N10AL , HGD120N10AL , HGI130N12SL , HGD130N12SL , HGI200N10SL , HGD200N10SL , 4435 , HGK030N06S , HGM046NE6A , HGM046NE6AL , HGM059N08AL , HGM079N06SL , HGM090NE6A , HGM090NE6AL , HGM095NE4SL .
History: IRF614A | 2SK949



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTN330N06A | JMTN2310A | JMTN11DN10A | JMTM8810KS | JMTM850P04A | JMTM8205B | JMTM8205A | JMTM3415KL | JMTM3406D | JMTM330N06A | JMTM300N03D | JMTM300C02D | JMTM2310A | JMTM170N04A | JMTLB3134K | JMTLB2N7002KDS
Popular searches
2sc2320 | d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124 | 2n408 | 2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor