HGM046NE6A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGM046NE6A  📄📄 

Código: M046NE6A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 65 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 41 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 769 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm

Encapsulados: DFN3.3X3.3

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HGM046NE6A datasheet

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HGM046NE6A

HGM046NE6A P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching 4.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 66 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

 0.1. Size:1141K  cn hunteck
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HGM046NE6A

HGM046NE6AL P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching, Logic level 4.2 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 6.1 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 69 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 36 A Lead Free, Halogen Free ID (Pacakge Limited) Application Drain Sy

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