HGM046NE6A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGM046NE6A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 769 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGM046NE6A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGM046NE6A даташит

 ..1. Size:1132K  cn hunteck
 hgm046ne6a.pdf pdf_icon

HGM046NE6A

HGM046NE6A P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching 4.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 66 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

 0.1. Size:1141K  cn hunteck
 hgm046ne6al.pdf pdf_icon

HGM046NE6A

HGM046NE6AL P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching, Logic level 4.2 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 6.1 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 69 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 36 A Lead Free, Halogen Free ID (Pacakge Limited) Application Drain Sy

Другие IGBT... HGI120N10AL, HGD120N10AL, HGI130N12SL, HGD130N12SL, HGI200N10SL, HGD200N10SL, HGK026N15S, HGK030N06S, IRFB3607, HGM046NE6AL, HGM059N08AL, HGM079N06SL, HGM090NE6A, HGM090NE6AL, HGM095NE4SL, HGM098N10AL, HGM110N08A