HGM059N08AL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGM059N08AL  📄📄 

Código: M059N08L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 43 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 540 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0059 Ohm

Encapsulados: DFN3.3X3.3

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HGM059N08AL datasheet

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HGM059N08AL

HGM059N08AL P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching, Logic level 5.2 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 7.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 62 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 36 A Lead Free, Halogen Free ID (Pacakge Limited) Application Synchronou

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