HGM059N08AL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGM059N08AL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 540 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGM059N08AL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGM059N08AL даташит

 ..1. Size:1138K  cn hunteck
 hgm059n08al.pdf pdf_icon

HGM059N08AL

HGM059N08AL P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching, Logic level 5.2 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 7.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 62 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 36 A Lead Free, Halogen Free ID (Pacakge Limited) Application Synchronou

Другие IGBT... HGI130N12SL, HGD130N12SL, HGI200N10SL, HGD200N10SL, HGK026N15S, HGK030N06S, HGM046NE6A, HGM046NE6AL, IRF530, HGM079N06SL, HGM090NE6A, HGM090NE6AL, HGM095NE4SL, HGM098N10AL, HGM110N08A, HGM110N08AL, HGM120N06SL