HGM079N06SL Todos los transistores

 

HGM079N06SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGM079N06SL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 415 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0079 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3
 

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HGM079N06SL Datasheet (PDF)

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HGM079N06SL

HGM079N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature 60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 6.7RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 9.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 44.6 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free 40 AID (Package Limited)Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DFN3

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History: 2SJ473-01S | QM3009K | DH035N04 | STF24N60M2 | AM2312N | 2SK2461 | LJ2015-53

 

 
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