HGM079N06SL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGM079N06SL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 415 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0079 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGM079N06SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGM079N06SL даташит

 ..1. Size:1175K  cn hunteck
 hgm079n06sl.pdf pdf_icon

HGM079N06SL

HGM079N06SL P-1 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 6.7 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 9.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 44.6 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free 40 A ID (Package Limited) Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DFN3

Другие IGBT... HGD130N12SL, HGI200N10SL, HGD200N10SL, HGK026N15S, HGK030N06S, HGM046NE6A, HGM046NE6AL, HGM059N08AL, CS150N03A8, HGM090NE6A, HGM090NE6AL, HGM095NE4SL, HGM098N10AL, HGM110N08A, HGM110N08AL, HGM120N06SL, HGM120N10AL