Справочник MOSFET. HGM079N06SL

 

HGM079N06SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGM079N06SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 415 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0079 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для HGM079N06SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGM079N06SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1175K  cn hunteck
 hgm079n06sl.pdf pdf_icon

HGM079N06SL

HGM079N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature 60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 6.7RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 9.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 44.6 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free 40 AID (Package Limited)Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DFN3

Другие MOSFET... HGD130N12SL , HGI200N10SL , HGD200N10SL , HGK026N15S , HGK030N06S , HGM046NE6A , HGM046NE6AL , HGM059N08AL , IRLB4132 , HGM090NE6A , HGM090NE6AL , HGM095NE4SL , HGM098N10AL , HGM110N08A , HGM110N08AL , HGM120N06SL , HGM120N10AL .

History: PMZ250UN | IXTH48N65X2 | CEP13N5

 

 
Back to Top

 


 
.