Справочник MOSFET. HGM079N06SL

 

HGM079N06SL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGM079N06SL
   Маркировка: M079N06L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 415 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0079 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3

 Аналог (замена) для HGM079N06SL

 

 

HGM079N06SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1175K  cn hunteck
 hgm079n06sl.pdf

HGM079N06SL HGM079N06SL

HGM079N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature 60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 6.7RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 9.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 44.6 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free 40 AID (Package Limited)Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DFN3

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top