HGM090NE6A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGM090NE6A  📄📄 

Código: M090NE6A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 65 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 567 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm

Encapsulados: DFN3.3X3.3

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HGM090NE6A datasheet

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HGM090NE6A

HGM090NE6A P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 65 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 7.8 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 38 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 36 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switchin

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HGM090NE6A

HGM090NE6AL P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching, Logic level 7.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 10.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 39 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 36 A Lead Free, Halogen Free ID (Package Limited) Application Synchronou

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HGM090NE6A

HGM098N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 8.0 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 10.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 47.2 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 36 A Lead Free, Halogen Free ID (Package Limited) Application Synchr

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HGM090NE6A

HGM095NE4SL P-1 45V N-Ch Power MOSFET Feature 45 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 7.0 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 9.6 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 37 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 26 A Lead Free, Halogen Free ID (Package Limited) Application Synchronous

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