Справочник MOSFET. HGM090NE6A

 

HGM090NE6A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGM090NE6A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 567 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для HGM090NE6A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGM090NE6A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1174K  cn hunteck
 hgm090ne6a.pdf pdf_icon

HGM090NE6A

HGM090NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching 65 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability 7.8RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 38 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 36 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switchin

 0.1. Size:1314K  cn hunteck
 hgm090ne6al.pdf pdf_icon

HGM090NE6A

HGM090NE6AL P-165V N-Ch Power MOSFETFeature 65 VVDS High Speed Power Switching, Logic level 7.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 10.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 39 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 36 A Lead Free, Halogen Free ID (Package Limited)Application Synchronou

 9.1. Size:1140K  cn hunteck
 hgm098n10al.pdf pdf_icon

HGM090NE6A

HGM098N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature 100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 8.0RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 10.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 47.2 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 36 A Lead Free, Halogen Free ID (Package Limited)Application Synchr

 9.2. Size:1142K  cn hunteck
 hgm095ne4sl.pdf pdf_icon

HGM090NE6A

HGM095NE4SL P-145V N-Ch Power MOSFETFeature 45 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 7.0RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 9.6RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 37 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 26 A Lead Free, Halogen Free ID (Package Limited)Application Synchronous

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGI200N10SL , HGD200N10SL , HGK026N15S , HGK030N06S , HGM046NE6A , HGM046NE6AL , HGM059N08AL , HGM079N06SL , IRFP450 , HGM090NE6AL , HGM095NE4SL , HGM098N10AL , HGM110N08A , HGM110N08AL , HGM120N06SL , HGM120N10AL , HGM170N10AL .

 

 
Back to Top

 


 
.