HGM090NE6A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGM090NE6A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 567 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGM090NE6A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGM090NE6A даташит

 ..1. Size:1174K  cn hunteck
 hgm090ne6a.pdf pdf_icon

HGM090NE6A

HGM090NE6A P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 65 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 7.8 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 38 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 36 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switchin

 0.1. Size:1314K  cn hunteck
 hgm090ne6al.pdf pdf_icon

HGM090NE6A

HGM090NE6AL P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching, Logic level 7.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 10.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 39 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 36 A Lead Free, Halogen Free ID (Package Limited) Application Synchronou

 9.1. Size:1140K  cn hunteck
 hgm098n10al.pdf pdf_icon

HGM090NE6A

HGM098N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 8.0 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 10.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 47.2 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 36 A Lead Free, Halogen Free ID (Package Limited) Application Synchr

 9.2. Size:1142K  cn hunteck
 hgm095ne4sl.pdf pdf_icon

HGM090NE6A

HGM095NE4SL P-1 45V N-Ch Power MOSFET Feature 45 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 7.0 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 9.6 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 37 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 26 A Lead Free, Halogen Free ID (Package Limited) Application Synchronous

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGI200N10SL, HGD200N10SL, HGK026N15S, HGK030N06S, HGM046NE6A, HGM046NE6AL, HGM059N08AL, HGM079N06SL, NCEP15T14, HGM090NE6AL, HGM095NE4SL, HGM098N10AL, HGM110N08A, HGM110N08AL, HGM120N06SL, HGM120N10AL, HGM170N10AL