HGM120N06SL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGM120N06SL  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 318 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm

Encapsulados: DFN3.3X3.3

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HGM120N06SL datasheet

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HGM120N06SL

HGM120N06SL P-1 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 8.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 12 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 33 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 26 A Lead Free, Halogen Free ID (Package Limited) Application Synchronous

 7.1. Size:1141K  cn hunteck
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HGM120N06SL

HGM120N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 11.4 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 15.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 36 A ID (Silicon limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 36 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synch

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