HGM120N06SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGM120N06SL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 318 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGM120N06SL

HGM120N06SL Datasheet (PDF)

..1. Size:1141K cn hunteck
hgm120n06sl.pdf

HGM120N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature 60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 8.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 12RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 33 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 26 A Lead Free, Halogen Free ID (Package Limited)Application Synchronous

7.1. Size:1141K cn hunteck
hgm120n10al.pdf

HGM120N10ALP-1100V N-Ch Power MOSFETFeature 100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 11.4RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 15.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 36 AID (Silicon limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 36 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synch

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Liste

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