HGM120N06SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HGM120N06SL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 318 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
Тип корпуса: DFN3.3X3.3
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
HGM120N06SL Datasheet (PDF)
hgm120n06sl.pdf

HGM120N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature 60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 8.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 12RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 33 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 26 A Lead Free, Halogen Free ID (Package Limited)Application Synchronous
hgm120n10al.pdf

HGM120N10ALP-1100V N-Ch Power MOSFETFeature 100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 11.4RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 15.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 36 AID (Silicon limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 36 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synch
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: SI9435DY-T1 | SKI04024
History: SI9435DY-T1 | SKI04024



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sd555 | a950 transistor | k2611 | c1740 transistor | c828 transistor | c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent