HGM120N06SL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGM120N06SL  📄📄 

Маркировка: M120N06L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 18.5 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 318 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGM120N06SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGM120N06SL даташит

 ..1. Size:1141K  cn hunteck
 hgm120n06sl.pdf pdf_icon

HGM120N06SL

HGM120N06SL P-1 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 8.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 12 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 33 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 26 A Lead Free, Halogen Free ID (Package Limited) Application Synchronous

 7.1. Size:1141K  cn hunteck
 hgm120n10al.pdf pdf_icon

HGM120N06SL

HGM120N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 11.4 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 15.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 36 A ID (Silicon limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 36 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synch

Другие IGBT... HGM059N08AL, HGM079N06SL, HGM090NE6A, HGM090NE6AL, HGM095NE4SL, HGM098N10AL, HGM110N08A, HGM110N08AL, BS170, HGM120N10AL, HGM170N10AL, HGM210N12SL, HGM230N10AL, HGM290N10SL, HGN012N03AL, HGN016N04BL, HGN021N06SL