HGM170N10AL Todos los transistores

 

HGM170N10AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGM170N10AL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 147 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3
 

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HGM170N10AL Datasheet (PDF)

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HGM170N10AL

HGM170N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature 100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 14RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 22RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 28.4 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS

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History: HCI70R360 | BSC072N04LD | SM3106NSU | AM6411P | IRF7484Q | 2SK906 | IXTY1N80

 

 
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