HGM170N10AL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGM170N10AL  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 147 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm

Encapsulados: DFN3.3X3.3

 Búsqueda de reemplazo de HGM170N10AL MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HGM170N10AL datasheet

 ..1. Size:1144K  cn hunteck
 hgm170n10al.pdf pdf_icon

HGM170N10AL

HGM170N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 14 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 22 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 28.4 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS

Otros transistores... HGM090NE6A, HGM090NE6AL, HGM095NE4SL, HGM098N10AL, HGM110N08A, HGM110N08AL, HGM120N06SL, HGM120N10AL, IRFP250, HGM210N12SL, HGM230N10AL, HGM290N10SL, HGN012N03AL, HGN016N04BL, HGN021N06SL, HGN022NE4SL, HGN023NE6A