Справочник MOSFET. HGM170N10AL

 

HGM170N10AL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGM170N10AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 147 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для HGM170N10AL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGM170N10AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1144K  cn hunteck
 hgm170n10al.pdf pdf_icon

HGM170N10AL

HGM170N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature 100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 14RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 22RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 28.4 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS

Другие MOSFET... HGM090NE6A , HGM090NE6AL , HGM095NE4SL , HGM098N10AL , HGM110N08A , HGM110N08AL , HGM120N06SL , HGM120N10AL , STF13NM60N , HGM210N12SL , HGM230N10AL , HGM290N10SL , HGN012N03AL , HGN016N04BL , HGN021N06SL , HGN022NE4SL , HGN023NE6A .

History: IPW60R199CP | SI1499DH | DMN66D0LDW | H7N1009MD90TZ | AO4822A | CEB13N5A | 4N70KL-TN3-R

 

 
Back to Top

 


 
.