Справочник MOSFET. HGM170N10AL

 

HGM170N10AL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGM170N10AL
   Маркировка: M170N10L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 147 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HGM170N10AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1144K  cn hunteck
 hgm170n10al.pdf pdf_icon

HGM170N10AL

HGM170N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature 100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 14RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 22RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 28.4 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SP2013 | STP601 | AP70T03GS | ME2320D-G | AP9T15GH | SSR1N60BTM | IXFR32N100P

 

 
Back to Top

 


 
.