HGM170N10AL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGM170N10AL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 147 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для HGM170N10AL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGM170N10AL даташит

 ..1. Size:1144K  cn hunteck
 hgm170n10al.pdf pdf_icon

HGM170N10AL

HGM170N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 14 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 22 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 28.4 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS

Другие IGBT... HGM090NE6A, HGM090NE6AL, HGM095NE4SL, HGM098N10AL, HGM110N08A, HGM110N08AL, HGM120N06SL, HGM120N10AL, IRFP250, HGM210N12SL, HGM230N10AL, HGM290N10SL, HGN012N03AL, HGN016N04BL, HGN021N06SL, HGN022NE4SL, HGN023NE6A