HGM210N12SL Todos los transistores

 

HGM210N12SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGM210N12SL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 143 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3
 

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HGM210N12SL Datasheet (PDF)

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HGM210N12SL

HGM210N12SLP-1120V N-Ch Power MOSFETFeature 120 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 20RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 25RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 29 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 26 A Lead Free, Halogen Free ID (Package Limited)Application Synchronou

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History: STD3NK50Z | IPD06N03LBG | SI1303DL | H7N1004LS | TPCP8406 | HY1915P | ME7636

 

 
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