Справочник MOSFET. HGM210N12SL

 

HGM210N12SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGM210N12SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для HGM210N12SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGM210N12SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1144K  cn hunteck
 hgm210n12sl.pdf pdf_icon

HGM210N12SL

HGM210N12SLP-1120V N-Ch Power MOSFETFeature 120 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 20RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 25RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 29 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 26 A Lead Free, Halogen Free ID (Package Limited)Application Synchronou

Другие MOSFET... HGM090NE6AL , HGM095NE4SL , HGM098N10AL , HGM110N08A , HGM110N08AL , HGM120N06SL , HGM120N10AL , HGM170N10AL , P0903BDG , HGM230N10AL , HGM290N10SL , HGN012N03AL , HGN016N04BL , HGN021N06SL , HGN022NE4SL , HGN023NE6A , HGN023NE6AL .

History: HAT1047RJ | HM9436 | HGB080N10A | KI2333CDS | OSG60R108KZF | AON6906 | HGB027N12S

 

 
Back to Top

 


 
.