HGM290N10SL Todos los transistores

 

HGM290N10SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGM290N10SL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3
 

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HGM290N10SL Datasheet (PDF)

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 hgm290n10sl.pdf pdf_icon

HGM290N10SL

HGM290N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature 100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 22.0RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 26RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 21 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS

Otros transistores... HGM098N10AL , HGM110N08A , HGM110N08AL , HGM120N06SL , HGM120N10AL , HGM170N10AL , HGM210N12SL , HGM230N10AL , STP80NF70 , HGN012N03AL , HGN016N04BL , HGN021N06SL , HGN022NE4SL , HGN023NE6A , HGN023NE6AL , HGN024N06SL , HGN027N06S .

History: AP50T10GH-HF | HGA098N10A | PMN20ENA

 

 
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