Справочник MOSFET. HGM290N10SL

 

HGM290N10SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGM290N10SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HGM290N10SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1152K  cn hunteck
 hgm290n10sl.pdf pdf_icon

HGM290N10SL

HGM290N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature 100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 22.0RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 26RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 21 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: ZVP2110GTA | IRF7752 | 2SK3572-Z | AP05N20GH | VBE2311 | CS540B8 | NCE70T680F

 

 
Back to Top

 


 
.