Справочник MOSFET. HGM290N10SL

 

HGM290N10SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGM290N10SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для HGM290N10SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGM290N10SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1152K  cn hunteck
 hgm290n10sl.pdf pdf_icon

HGM290N10SL

HGM290N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature 100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 22.0RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 26RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 21 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS

Другие MOSFET... HGM098N10AL , HGM110N08A , HGM110N08AL , HGM120N06SL , HGM120N10AL , HGM170N10AL , HGM210N12SL , HGM230N10AL , STP80NF70 , HGN012N03AL , HGN016N04BL , HGN021N06SL , HGN022NE4SL , HGN023NE6A , HGN023NE6AL , HGN024N06SL , HGN027N06S .

 

 
Back to Top

 


 
.