HGM290N10SL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGM290N10SL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для HGM290N10SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGM290N10SL даташит

 ..1. Size:1152K  cn hunteck
 hgm290n10sl.pdf pdf_icon

HGM290N10SL

HGM290N10SL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 22.0 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 26 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 21 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS

Другие IGBT... HGM098N10AL, HGM110N08A, HGM110N08AL, HGM120N06SL, HGM120N10AL, HGM170N10AL, HGM210N12SL, HGM230N10AL, 10N65, HGN012N03AL, HGN016N04BL, HGN021N06SL, HGN022NE4SL, HGN023NE6A, HGN023NE6AL, HGN024N06SL, HGN027N06S