HGN012N03AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGN012N03AL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2492 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0016 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGN012N03AL

HGN012N03AL Datasheet (PDF)

..1. Size:900K cn hunteck
hgn012n03al.pdf

HGN012N03AL P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level1.3RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability1.8RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness178 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rec

9.1. Size:1236K cn hunteck
hgn016n04bl.pdf

HGN016N04BLP-140V N-Ch Power MOSFETFeature 40 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 1.3RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 2RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 175 AID Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and Inductrial DFN5*6 Gate

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Liste

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