HGN012N03AL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGN012N03AL  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2492 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0016 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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HGN012N03AL datasheet

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HGN012N03AL

HGN012N03AL P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 1.3 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 1.8 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 178 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 60 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rec

 9.1. Size:1236K  cn hunteck
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HGN012N03AL

HGN016N04BL P-1 40V N-Ch Power MOSFET Feature 40 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 1.3 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 2 RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 175 A ID Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and Inductrial DFN5*6 Gate

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