Справочник MOSFET. HGN012N03AL

 

HGN012N03AL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGN012N03AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2492 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6

 Аналог (замена) для HGN012N03AL

 

 

HGN012N03AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:900K  cn hunteck
 hgn012n03al.pdf

HGN012N03AL HGN012N03AL

HGN012N03AL P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level1.3RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability1.8RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness178 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rec

 9.1. Size:1236K  cn hunteck
 hgn016n04bl.pdf

HGN012N03AL HGN012N03AL

HGN016N04BLP-140V N-Ch Power MOSFETFeature 40 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 1.3RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 2RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 175 AID Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and Inductrial DFN5*6 Gate

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top