HGN012N03AL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGN012N03AL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2492 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для HGN012N03AL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN012N03AL даташит

 ..1. Size:900K  cn hunteck
 hgn012n03al.pdf pdf_icon

HGN012N03AL

HGN012N03AL P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 1.3 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 1.8 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 178 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 60 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rec

 9.1. Size:1236K  cn hunteck
 hgn016n04bl.pdf pdf_icon

HGN012N03AL

HGN016N04BL P-1 40V N-Ch Power MOSFET Feature 40 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 1.3 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 2 RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 175 A ID Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and Inductrial DFN5*6 Gate

Другие IGBT... HGM110N08A, HGM110N08AL, HGM120N06SL, HGM120N10AL, HGM170N10AL, HGM210N12SL, HGM230N10AL, HGM290N10SL, 5N60, HGN016N04BL, HGN021N06SL, HGN022NE4SL, HGN023NE6A, HGN023NE6AL, HGN024N06SL, HGN027N06S, HGN028N08A