Справочник MOSFET. HGN012N03AL

 

HGN012N03AL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGN012N03AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2492 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для HGN012N03AL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN012N03AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:900K  cn hunteck
 hgn012n03al.pdf pdf_icon

HGN012N03AL

HGN012N03AL P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level1.3RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability1.8RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness178 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rec

 9.1. Size:1236K  cn hunteck
 hgn016n04bl.pdf pdf_icon

HGN012N03AL

HGN016N04BLP-140V N-Ch Power MOSFETFeature 40 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 1.3RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 2RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 175 AID Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and Inductrial DFN5*6 Gate

Другие MOSFET... HGM110N08A , HGM110N08AL , HGM120N06SL , HGM120N10AL , HGM170N10AL , HGM210N12SL , HGM230N10AL , HGM290N10SL , 13N50 , HGN016N04BL , HGN021N06SL , HGN022NE4SL , HGN023NE6A , HGN023NE6AL , HGN024N06SL , HGN027N06S , HGN028N08A .

History: IRF610SPBF | SUD80460E | 2SK4090-ZK-E2-AY | SM66406D1RL | LSB60R030HT | BUK9510-100B | SM8404CSQ

 

 
Back to Top

 


 
.