HGN016N04BL Todos los transistores

 

HGN016N04BL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGN016N04BL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1214 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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HGN016N04BL datasheet

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HGN016N04BL

HGN016N04BL P-1 40V N-Ch Power MOSFET Feature 40 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 1.3 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 2 RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 175 A ID Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and Inductrial DFN5*6 Gate

 9.1. Size:900K  cn hunteck
 hgn012n03al.pdf pdf_icon

HGN016N04BL

HGN012N03AL P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 1.3 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 1.8 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 178 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 60 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rec

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