HGN016N04BL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGN016N04BL
   Código: GN016N04BL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 83 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.2 V
   Carga de la puerta (Qg): 68.9 nC
   Tiempo de subida (tr): 40.4 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1214 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0017 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGN016N04BL

HGN016N04BL Datasheet (PDF)

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hgn016n04bl.pdf

HGN016N04BLP-140V N-Ch Power MOSFETFeature 40 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 1.3RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 2RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 175 AID Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and Inductrial DFN5*6 Gate

9.1. Size:900K cn hunteck
hgn012n03al.pdf

HGN012N03AL P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level1.3RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability1.8RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness178 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rec

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Liste

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