Справочник MOSFET. HGN016N04BL

 

HGN016N04BL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGN016N04BL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1214 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для HGN016N04BL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN016N04BL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1236K  cn hunteck
 hgn016n04bl.pdf pdf_icon

HGN016N04BL

HGN016N04BLP-140V N-Ch Power MOSFETFeature 40 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 1.3RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 2RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 175 AID Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and Inductrial DFN5*6 Gate

 9.1. Size:900K  cn hunteck
 hgn012n03al.pdf pdf_icon

HGN016N04BL

HGN012N03AL P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level1.3RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability1.8RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness178 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rec

Другие MOSFET... HGM110N08AL , HGM120N06SL , HGM120N10AL , HGM170N10AL , HGM210N12SL , HGM230N10AL , HGM290N10SL , HGN012N03AL , SKD502T , HGN021N06SL , HGN022NE4SL , HGN023NE6A , HGN023NE6AL , HGN024N06SL , HGN027N06S , HGN028N08A , HGN028NE6A .

History: AFN2324A | PH3230S | 2SK3116-ZJ | 2SK4067I | 2N7002F | NCE60ND45AG | PNM523T703E0-2

 

 
Back to Top

 


 
.