HGN090N06SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGN090N06SL
   Código: GN090N06SL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 24 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 415 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGN090N06SL

HGN090N06SL Datasheet (PDF)

..1. Size:764K cn hunteck
hgn090n06sl.pdf

HGN090N06SLP-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.3RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability10RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness62 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested45 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous

7.1. Size:1316K cn hunteck
hgn090ne6al.pdf

HGN090NE6ALP-165V N-Ch Power MOSFETFeature 65 VVDS High Speed Power Switching, Logic level 7.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 10.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 55 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 30 A Lead Free, Halogen Free ID (Package Limited)Application Drain Syn

7.2. Size:932K cn hunteck
hgn090ne6a.pdf

HGN090NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching65 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability7.8RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness54 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested30 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplicationDrain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and Hig

8.1. Size:1112K cn hunteck
hgn090ae6al.pdf

HGN090AE6AL P-165V N-Ch Power MOSFETFeature 65 VVDS High Speed Power Switching, Logic level 8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 11.4RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 42 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 28 A Lead Free, Halogen Free ID (Package Limited)Drain1 Drain2 Application

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IPI072N10N3

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: