Справочник MOSFET. HGN090N06SL

 

HGN090N06SL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGN090N06SL
   Маркировка: GN090N06SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 415 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6

 Аналог (замена) для HGN090N06SL

 

 

HGN090N06SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:764K  cn hunteck
 hgn090n06sl.pdf

HGN090N06SL HGN090N06SL

HGN090N06SLP-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.3RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability10RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness62 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested45 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous

 7.1. Size:1316K  cn hunteck
 hgn090ne6al.pdf

HGN090N06SL HGN090N06SL

HGN090NE6ALP-165V N-Ch Power MOSFETFeature 65 VVDS High Speed Power Switching, Logic level 7.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 10.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 55 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 30 A Lead Free, Halogen Free ID (Package Limited)Application Drain Syn

 7.2. Size:932K  cn hunteck
 hgn090ne6a.pdf

HGN090N06SL HGN090N06SL

HGN090NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching65 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability7.8RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness54 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested30 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplicationDrain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and Hig

 8.1. Size:1112K  cn hunteck
 hgn090ae6al.pdf

HGN090N06SL HGN090N06SL

HGN090AE6AL P-165V N-Ch Power MOSFETFeature 65 VVDS High Speed Power Switching, Logic level 8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 11.4RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 42 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 28 A Lead Free, Halogen Free ID (Package Limited)Drain1 Drain2 Application

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top