HGN100N12S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGN100N12S
   Código: GN100N12S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 56 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGN100N12S

HGN100N12S Datasheet (PDF)

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hgn100n12s.pdf

P-1HGN100N12S120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching7.8RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability102 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplicationDrain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

0.1. Size:1074K cn hunteck
hgn100n12sl.pdf

P-1HGN100N12SL120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching,Logic level7.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability8.6RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness83 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification in

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History: AONS32303

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