HGN100N12S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGN100N12S  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 120 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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HGN100N12S datasheet

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HGN100N12S

P-1 HGN100N12S 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching 7.8 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 102 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 60 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

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HGN100N12S

P-1 HGN100N12SL 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching,Logic level 7.8 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 8.6 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 83 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 60 A ID (Package Limited) Lead Free Application Synchronous Rectification in

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