Справочник MOSFET. HGN100N12S

 

HGN100N12S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGN100N12S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для HGN100N12S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN100N12S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1064K  cn hunteck
 hgn100n12s.pdf pdf_icon

HGN100N12S

P-1HGN100N12S120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching7.8RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability102 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplicationDrain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

 0.1. Size:1074K  cn hunteck
 hgn100n12sl.pdf pdf_icon

HGN100N12S

P-1HGN100N12SL120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching,Logic level7.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability8.6RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness83 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification in

Другие MOSFET... HGN090NE6AL , HGN093N12S , HGN093N12SL , HGN095NE4SL , HGN098N10A , HGN098N10AL , HGN098N10SL , HGN099N15S , STP75NF75 , HGN100N12SL , HGN110N08A , HGN110N08AL , HGN110N10SL , HGN115N15S , HGN115N15SL , HGN119N15S , HGN120N06SL .

History: TPP65R170M | FIR60N04LG | CPH6311 | KQB2N50 | AP4416GH | SM3419NHQA | RS1G180MN

 

 
Back to Top

 


 
.