HGN100N12S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGN100N12S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для HGN100N12S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN100N12S даташит

 ..1. Size:1064K  cn hunteck
 hgn100n12s.pdf pdf_icon

HGN100N12S

P-1 HGN100N12S 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching 7.8 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 102 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 60 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

 0.1. Size:1074K  cn hunteck
 hgn100n12sl.pdf pdf_icon

HGN100N12S

P-1 HGN100N12SL 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching,Logic level 7.8 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 8.6 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 83 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 60 A ID (Package Limited) Lead Free Application Synchronous Rectification in

Другие IGBT... HGN090NE6AL, HGN093N12S, HGN093N12SL, HGN095NE4SL, HGN098N10A, HGN098N10AL, HGN098N10SL, HGN099N15S, 7N65, HGN100N12SL, HGN110N08A, HGN110N08AL, HGN110N10SL, HGN115N15S, HGN115N15SL, HGN119N15S, HGN120N06SL