Справочник MOSFET. HGN100N12S

 

HGN100N12S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGN100N12S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN100N12S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1064K  cn hunteck
 hgn100n12s.pdf pdf_icon

HGN100N12S

P-1HGN100N12S120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching7.8RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability102 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplicationDrain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

 0.1. Size:1074K  cn hunteck
 hgn100n12sl.pdf pdf_icon

HGN100N12S

P-1HGN100N12SL120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching,Logic level7.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability8.6RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness83 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification in

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: HCS90R1K6S | S10H08RP | SI7868ADP | AUIRF2804S-7P | WMM053N10HGS | BSZ018N04LS6 | MTP2955L3

 

 
Back to Top

 


 
.