HGN130N12S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGN130N12S  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 120 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

 Búsqueda de reemplazo de HGN130N12S MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HGN130N12S datasheet

 ..1. Size:904K  cn hunteck
 hgn130n12s.pdf pdf_icon

HGN130N12S

P-1 HGN130N12S 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching 10 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 62.7 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 60 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switc

 0.1. Size:910K  cn hunteck
 hgn130n12sl.pdf pdf_icon

HGN130N12S

P-1 HGN130N12SL 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 10.3 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 12.0 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 61 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 60 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous

Otros transistores... HGN110N08AL, HGN110N10SL, HGN115N15S, HGN115N15SL, HGN119N15S, HGN120N06SL, HGN120N10A, HGN120N10AL, AO3401, HGN130N12SL, HGN155N15S, HGN170A10AL, HGN170N10AL, HGN190N15S, HGN195N15S, HGN195N15SL, HGN200N10SL