HGN130N12S Todos los transistores

 

HGN130N12S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGN130N12S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

 Búsqueda de reemplazo de HGN130N12S MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HGN130N12S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:904K  cn hunteck
 hgn130n12s.pdf pdf_icon

HGN130N12S

P-1HGN130N12S120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching10RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability62.7 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switc

 0.1. Size:910K  cn hunteck
 hgn130n12sl.pdf pdf_icon

HGN130N12S

P-1HGN130N12SL120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level10.3RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability12.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness61 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous

Otros transistores... HGN110N08AL , HGN110N10SL , HGN115N15S , HGN115N15SL , HGN119N15S , HGN120N06SL , HGN120N10A , HGN120N10AL , AO3400 , HGN130N12SL , HGN155N15S , HGN170A10AL , HGN170N10AL , HGN190N15S , HGN195N15S , HGN195N15SL , HGN200N10SL .

History: SPP12N50C3 | SPP04N60C3 | AP4963GEM | PSMN9R0-30LL | UT6401 | BSC118N10NSG | HAT2292C

 

 
Back to Top

 


 
.