Справочник MOSFET. HGN130N12S

 

HGN130N12S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGN130N12S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для HGN130N12S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN130N12S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:904K  cn hunteck
 hgn130n12s.pdf pdf_icon

HGN130N12S

P-1HGN130N12S120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching10RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability62.7 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switc

 0.1. Size:910K  cn hunteck
 hgn130n12sl.pdf pdf_icon

HGN130N12S

P-1HGN130N12SL120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level10.3RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability12.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness61 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous

Другие MOSFET... HGN110N08AL , HGN110N10SL , HGN115N15S , HGN115N15SL , HGN119N15S , HGN120N06SL , HGN120N10A , HGN120N10AL , AO3400 , HGN130N12SL , HGN155N15S , HGN170A10AL , HGN170N10AL , HGN190N15S , HGN195N15S , HGN195N15SL , HGN200N10SL .

History: MCAC60N08Y | CHM3252JGP | CHM3252ZGP | IRFY9140M | HM18N40F | TPA65R520D

 

 
Back to Top

 


 
.