HGN155N15S Todos los transistores

 

HGN155N15S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGN155N15S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 53 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 183 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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HGN155N15S Datasheet (PDF)

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HGN155N15S

P-1HGN155N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Smooth Switching150 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability13RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness53 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitDrain Power Tools

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History: RU2013H | VS-FC80NA20 | HM2319A | PSMN9R0-30LL | IXZR08N120A | AM70N15-40P | SWN4N65DA

 

 
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