Справочник MOSFET. HGN155N15S

 

HGN155N15S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGN155N15S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 183 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для HGN155N15S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN155N15S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:898K  cn hunteck
 hgn155n15s.pdf pdf_icon

HGN155N15S

P-1HGN155N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Smooth Switching150 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability13RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness53 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitDrain Power Tools

Другие MOSFET... HGN115N15S , HGN115N15SL , HGN119N15S , HGN120N06SL , HGN120N10A , HGN120N10AL , HGN130N12S , HGN130N12SL , 8205A , HGN170A10AL , HGN170N10AL , HGN190N15S , HGN195N15S , HGN195N15SL , HGN200N10SL , HGN210N12SL , HGN230A10AL .

History: STP4NK60Z | CTD06N017 | HM18N40F | TPCA8009-H | AO6801E | P3606HK

 

 
Back to Top

 


 
.