HGN190N15S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGN190N15S  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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HGN190N15S datasheet

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HGN190N15S

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HGN190N15S

P-1 HGN195N15S 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching 17.0 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 47.3 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circui

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HGN190N15S

P-1 HGN195N15SL 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 17.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 20.0 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 46 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drai

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