HGN190N15S Todos los transistores

 

HGN190N15S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGN190N15S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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HGN190N15S Datasheet (PDF)

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HGN190N15S

HGN190N15S P-1150V N-Ch Power MOSFET150 VVDSFeature15RDS(on),typ m Optimized for high speed smooth switching19RDS(on),max m Enhanced Body diode dv/dt capability60 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication DC-DC Conversion Drain

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HGN190N15S

P-1HGN195N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching17.0RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability47.3 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circui

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HGN190N15S

P-1HGN195N15SL150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level17.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability20.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness46 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrai

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History: NTMFS015N10MCL | NTMFS0D55N03CG | RFM25N06 | RFM12N18 | HSBB02P15 | AP6928GMT-HF | RFM15N05L

 

 
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