HGN190N15S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGN190N15S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для HGN190N15S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN190N15S даташит

 ..1. Size:780K  cn hunteck
 hgn190n15s.pdf pdf_icon

HGN190N15S

 9.1. Size:905K  cn hunteck
 hgn195n15s.pdf pdf_icon

HGN190N15S

P-1 HGN195N15S 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching 17.0 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 47.3 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circui

 9.2. Size:1004K  cn hunteck
 hgn195n15sl.pdf pdf_icon

HGN190N15S

P-1 HGN195N15SL 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 17.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 20.0 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 46 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drai

Другие IGBT... HGN120N06SL, HGN120N10A, HGN120N10AL, HGN130N12S, HGN130N12SL, HGN155N15S, HGN170A10AL, HGN170N10AL, SKD502T, HGN195N15S, HGN195N15SL, HGN200N10SL, HGN210N12SL, HGN230A10AL, HGN230N10AL, HGN240N15S, HGN290N10SL