HGN200N10SL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGN200N10SL  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 104 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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HGN200N10SL datasheet

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HGN200N10SL

HGN200N10SL P-1 100V N-Ch Power MOSFET 100 V Feature VDS 15.5 Optimized for high speed switching, Logic Level RDS(on),typ VGS=10V mW 20 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 42 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in

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