Справочник MOSFET. HGN200N10SL

 

HGN200N10SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGN200N10SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для HGN200N10SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN200N10SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:903K  cn hunteck
 hgn200n10sl.pdf pdf_icon

HGN200N10SL

HGN200N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFET100 VFeature VDS15.5 Optimized for high speed switching, Logic Level RDS(on),typ VGS=10V mW20RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Body diode dv/dt capability42 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in

Другие MOSFET... HGN130N12S , HGN130N12SL , HGN155N15S , HGN170A10AL , HGN170N10AL , HGN190N15S , HGN195N15S , HGN195N15SL , RFP50N06 , HGN210N12SL , HGN230A10AL , HGN230N10AL , HGN240N15S , HGN290N10SL , HGN320N20S , HGN320N20SL , HGN480N15M .

History: YJL2312AL | AOT2146L

 

 
Back to Top

 


 
.