HGN200N10SL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGN200N10SL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для HGN200N10SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN200N10SL даташит

 ..1. Size:903K  cn hunteck
 hgn200n10sl.pdf pdf_icon

HGN200N10SL

HGN200N10SL P-1 100V N-Ch Power MOSFET 100 V Feature VDS 15.5 Optimized for high speed switching, Logic Level RDS(on),typ VGS=10V mW 20 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 42 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in

Другие IGBT... HGN130N12S, HGN130N12SL, HGN155N15S, HGN170A10AL, HGN170N10AL, HGN190N15S, HGN195N15S, HGN195N15SL, AON7410, HGN210N12SL, HGN230A10AL, HGN230N10AL, HGN240N15S, HGN290N10SL, HGN320N20S, HGN320N20SL, HGN480N15M