Справочник MOSFET. HGN200N10SL

 

HGN200N10SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGN200N10SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN200N10SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:903K  cn hunteck
 hgn200n10sl.pdf pdf_icon

HGN200N10SL

HGN200N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFET100 VFeature VDS15.5 Optimized for high speed switching, Logic Level RDS(on),typ VGS=10V mW20RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Body diode dv/dt capability42 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IPI147N12N3 | SIHG47N60S | IRFH8318PBF | 9N95 | OSG70R350PF | IRLML0030TRPBF | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.